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电子科技大学; 电子科技大学; CN201810893390.8 CN109037442A 基于a-SiO<Sub>x</Sub>忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 电子科技大学; 无权 查看详情
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杭州电子科技大学; 杭州电子科技大学; CN201810647782.6 CN109037438A 用于人工神经网络中的N-Ti-Sb-Te基突触仿生器件 杭州电子科技大学; 无权 查看详情
三星电子株式会社; 三星电子株式会社; CN201810558824.9 CN109037222B 包括二维材料的非易失性存储器件以及包括其的装置 三星电子株式会社; 有权 查看详情
三星电子株式会社; 三星电子株式会社; CN201810558824.9 CN109037222A 包括二维材料的非易失性存储器件以及包括其的装置 三星电子株式会社; 有权 查看详情
南京邮电大学; 南京邮电大学; CN201811187834.2 CN109034379B 一种由类脑器件忆阻器搭建的神经元及神经元电路 南京邮电大学; 有权 查看详情
 
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