申请人
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申请人代码
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申请号
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公开号
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名称
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权利人
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专利权状态
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南京邮电大学;
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南京邮电大学;
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CN202211179513.4
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CN115843215A
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一种人工神经元阈值忆阻器、制备方法及应用
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南京邮电大学;
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在审
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北京邮电大学;中国康复研究中心;
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北京邮电大学;中国康复研究中心;
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CN202211491799.X
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CN115837122A
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基于EEG与EMG同步的语音刺激反馈康复系统和方法
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北京邮电大学;中国康复研究中心;
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在审
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西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院;
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西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院;
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CN202211573279.3
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CN115835772A
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一种MXene与NiO<Sub>2</Sub>复合材料忆阻器的制备方法
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西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院;
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在审
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华中科技大学;
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华中科技大学;
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CN202211482089.0
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CN115835770A
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一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用
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华中科技大学;
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在审
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苏州科技大学;
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苏州科技大学;
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CN202211274363.5
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CN115835769A
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一种氢键有机框架纳米复合材料及其制备方法和应用
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苏州科技大学;
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在审
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武汉大学;
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武汉大学;
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CN202211650261.9
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CN115831381A
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电休克治疗参数选择模型的构建方法及装置、电休克治疗参数选择方法
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武汉大学;
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在审
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清华大学;
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清华大学;
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CN202211684990.6
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CN115828766A
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原位最大水平主地应力预测方法、装置、电子设备及介质
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清华大学;
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在审
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中国科学院大学;
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中国科学院大学;
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CN202211487475.9
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CN115819413A
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基于咔唑的小分子化合物、方法及基于光照历史依赖的荧光强度机理的有机全光突触
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中国科学院大学;
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在审
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张家口映雪科技有限公司;
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张家口映雪科技有限公司;
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CN202211459331.2
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CN115814269A
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一种运动员训练用可调节的经颅脑电刺激配套装置
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张家口映雪科技有限公司;
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无权
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烟台大学;
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烟台大学;
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CN202211520768.2
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CN115814264A
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一种低温明胶涂层脑深部刺激套管电极及其制备方法
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烟台大学;
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在审
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