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清华大学; 清华大学; CN202211684990.6 CN115828766A 原位最大水平主地应力预测方法、装置、电子设备及介质 清华大学; 在审 查看详情
中国科学院大学; 中国科学院大学; CN202211487475.9 CN115819413A 基于咔唑的小分子化合物、方法及基于光照历史依赖的荧光强度机理的有机全光突触 中国科学院大学; 在审 查看详情
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陕西格芯国微半导体科技有限公司; 陕西格芯国微半导体科技有限公司; CN202211417620.6 CN115802877A 一种提升莫特忆阻器性能及降低其传感系统功耗的新架构 陕西格芯国微半导体科技有限公司; 在审 查看详情
 
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