| 申请人 | 申请人代码 | 申请号 | 公开号 | 名称 | 权利人 | 专利权状态 | |
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| 波士顿科学神经调制公司; | 波士顿科学神经调制公司; | CN202080083337.7 | CN114761074A | 用于刺激参数优化的闭环算法的输入的自动确定 | 波士顿科学神经调制公司; | 在审 | 查看详情 |
| 美敦力公司; | 美敦力公司; | CN202080080561.0 | CN114761072A | 多目标自适应神经刺激治疗控制 | 美敦力公司; | 在审 | 查看详情 |
| 闽都创新实验室; | 闽都创新实验室; | CN202210091182.2 | CN114758611B | 一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路 | 闽都创新实验室; | 有权 | 查看详情 |
| 闽都创新实验室; | 闽都创新实验室; | CN202210091182.2 | CN114758611A | 一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路 | 闽都创新实验室; | 有权 | 查看详情 |
| 武汉工程大学;华中农业大学; | 武汉工程大学;华中农业大学; | CN202210259889.X | CN114757345A | 一种忆阻联想记忆神经网络电路及其控制方法 | 武汉工程大学;华中农业大学; | 在审 | 查看详情 |
| 河北工业大学; | 河北工业大学; | CN202210289158.X | CN114757334A | 模型构建方法及装置、存储介质及电子设备 | 河北工业大学; | 在审 | 查看详情 |
| 赛普拉斯半导体公司; | 赛普拉斯半导体公司; | CN202080082177.4 | CN114747010B | 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅多级非易失性存储器装置及其制造方法 | 赛普拉斯半导体公司; | 有权 | 查看详情 |
| 赛普拉斯半导体公司; | 赛普拉斯半导体公司; | CN202080082177.4 | CN114747010A | 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅多级非易失性存储器装置及其制造方法 | 赛普拉斯半导体公司; | 有权 | 查看详情 |
| 诺沃库勒有限责任公司; | 诺沃库勒有限责任公司; | CN202080080428.5 | CN114746145A | 用于提供肿瘤治疗场的可植入阵列 | 诺沃库勒有限责任公司; | 在审 | 查看详情 |
| 深圳市永达电子信息股份有限公司; | 深圳市永达电子信息股份有限公司; | CN202210640329.9 | CN114745139B | 一种基于类脑存算的网络行为检测方法及装置 | 深圳市永达电子信息股份有限公司; | 有权 | 查看详情 |
