| 申请人 | 申请人代码 | 申请号 | 公开号 | 名称 | 权利人 | 专利权状态 | |
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| 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | CN202011362184.8 | CN112620652B | 一种电弧增材制造过程的自适应控制系统及方法 | 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | 有权 | 查看详情 |
| 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | CN202011362184.8 | CN112620652A | 一种电弧增材制造过程的自适应控制系统及方法 | 哈尔滨工业大学;首都航天机械有限公司; | 有权 | 查看详情 |
| 大连理工大学; | 大连理工大学; | CN202110023050.1 | CN112618964B | 一种光刺激微型化脑机接口装置 | 大连理工大学; | 有权 | 查看详情 |
| 大连理工大学; | 大连理工大学; | CN202110023050.1 | CN112618964A | 一种光刺激微型化脑机接口装置 | 大连理工大学; | 有权 | 查看详情 |
| 杭州电子科技大学; | 杭州电子科技大学; | CN202011459906.1 | CN112614935B | 一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法 | 杭州电子科技大学; | 有权 | 查看详情 |
| 杭州电子科技大学; | 杭州电子科技大学; | CN202011459906.1 | CN112614935A | 一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法 | 杭州电子科技大学; | 有权 | 查看详情 |
| 中国科学院半导体研究所; | 中国科学院半导体研究所; | CN202011479891.5 | CN112614865B | 基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法 | 中国科学院半导体研究所; | 无权 | 查看详情 |
| 中国科学院半导体研究所; | 中国科学院半导体研究所; | CN202011479891.5 | CN112614865A | 基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法 | 中国科学院半导体研究所; | 无权 | 查看详情 |
| 杭州电子科技大学; | 杭州电子科技大学; | CN202011609685.1 | CN112604163B | 一种基于经颅直流电刺激的辅助记忆系统 | 杭州电子科技大学; | 有权 | 查看详情 |
| 杭州电子科技大学; | 杭州电子科技大学; | CN202011609685.1 | CN112604163A | 一种基于经颅直流电刺激的辅助记忆系统 | 杭州电子科技大学; | 有权 | 查看详情 |
