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基于a-SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法
申请人:    电子科技大学;
申请人代码:    电子科技大学;
申请号:    CN201810893394.6
公开号:     CN109065714A
专利介绍
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