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用于运行电子的忆阻性的元器件的方法
申请人:    赫姆霍兹-森德拉姆德雷斯顿-罗森多夫研究中心;
申请人代码:    赫姆霍兹-森德拉姆德雷斯顿-罗森多夫研究中心;
申请号:    CN201780022491.1
公开号:     CN109074842B
专利介绍
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